【摘 要】
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本文采用PECVD方法进行了SiC的薄膜制备,利用俄歇分析(AES)、X光衍射测试(XRD)、傅利叶红外吸收技术(FTIR)等分析了SiC薄膜的组分和结构组成.利用应力仪和纳米硬度计进行测试
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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本文采用PECVD方法进行了SiC的薄膜制备,利用俄歇分析(AES)、X光衍射测试(XRD)、傅利叶红外吸收技术(FTIR)等分析了SiC薄膜的组分和结构组成.利用应力仪和纳米硬度计进行测试,以获取薄膜的力学参数,如应力、模量和硬度等.通过改变薄膜制备工艺条件,如功率、压力、气体流量等,研究工艺对SiC薄膜的应力、折射率、淀积速率等特性的影响.同时,研究了不同温度的退火工艺在改变SiC薄膜应力和组分中的作用,分析了SiC中H的存在对薄膜应力的影响.最终得到了利用PECVD制备低应力SiC薄膜的工艺条件,并成功制备了低应力的SiC薄膜.
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