【摘 要】
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本文采用磁控溅射FeSi2合金靶、Si靶和Al靶共镀加后续快速退火工艺在4H-SiC衬底上制备了β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管.采用Keithley6517静电计和探针台组成的集成系统对β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管的J-V特性进行测试,发现β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管在无光条件下加-5V偏压时产生的暗电流密度约为1.8×10-3A/cm2,而在光
【机 构】
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西安理工大学自动化学院,军民两用集成电路设计中心,陕西 西安,710048
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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本文采用磁控溅射FeSi2合金靶、Si靶和Al靶共镀加后续快速退火工艺在4H-SiC衬底上制备了β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管.采用Keithley6517静电计和探针台组成的集成系统对β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管的J-V特性进行测试,发现β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管在无光条件下加-5V偏压时产生的暗电流密度约为1.8×10-3A/cm2,而在光照(1.31μm@5mW)下的电流密度约为1.0×10-2A/cm2,光暗电流的比值由β-FeSi2/4H-SiC PIN光电二极管的3.5 提高到5.6,反向漏电流由1.0×10-2A/cm2降低到1.8×10-3A/cm2,PIN结构中本征β-FeSi2层的引入,可以改善光电二极管的暗电流特性.
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