【摘 要】
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文章利用ISE软件进行了浮结(FJ)浓度的变化对SiC UMOSFET击穿电压影响的仿真,分析了FJ浓度变化通过对UMOSFET器件内部电场分布的影响,给出了击穿电压和FJ掺杂浓度的关系,仿真结果表明,当FJ浓度满足槽栅拐角处的电场峰值和FJ与下漂移区的PN结处电场峰值大致相等时,SiC UMOSFET器件的击穿电压最大,在最优的掺杂FJ掺杂浓度下器件的击穿电压达到了约1600V.
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071 西安电
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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文章利用ISE软件进行了浮结(FJ)浓度的变化对SiC UMOSFET击穿电压影响的仿真,分析了FJ浓度变化通过对UMOSFET器件内部电场分布的影响,给出了击穿电压和FJ掺杂浓度的关系,仿真结果表明,当FJ浓度满足槽栅拐角处的电场峰值和FJ与下漂移区的PN结处电场峰值大致相等时,SiC UMOSFET器件的击穿电压最大,在最优的掺杂FJ掺杂浓度下器件的击穿电压达到了约1600V.
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