论文部分内容阅读
本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.
难熔金属与n-GaAs的欧姆接触
【摘 要】
：
本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
：
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2002年3期
其他文献
本文利用成本管理理论研究和分析了IC生产的成本因素.成本函数.固定成本管理.成品率管理.及以成本为量化的盈亏平衡点分析等.并给出了IC制造企业成本管理的必要性和应采取的有效措施和方法.
设计微波低噪声放大器及MMIC,需要确定增益和噪声系数随输入源导纳变化的规律,选择最佳的源导纳,设计出理想的微波器件,本文论述了国内外各种提取微波低噪声器件噪声参数的方法,并对其进行了比较.
本文作者对过去多年来从来微波器件封装科研开发的实践成果进行了总结,对今后封装的发展提出了一些建议.所涉及的微波器件封装,外壳类型为金属陶瓷外壳.
本文报道了一种低泄漏GaAs中频控制器的研究情况和结果.该GaAs中频控制器具有极低的泄漏谱分量,频率在30MHz下,控制脉冲泄漏谱分量小于—80dBm,比一般的GaAs开关小20dBm.
本文叙述宽边耦合带状线的阻抗特性,推导出宽边带状线耦合器的解析公式,利用ANSOFT公司的Serenade8.5微波CAD软件进行优化设计,制作出L波段功率合成与分配器,最后给出了测试结果和误差分析.
人们对宽带通讯的前所未有的要求给通讯带来了无限的机会和挑战.由于光纤所具有的巨大的带宽使全光通讯一直成为人们研究的热点.作为一种新兴的可以方便的提高系统的传输容量、具有巨大的扩容潜力的通讯技术,密集波分复用(DWDM)就是为了满足这种对带宽的需求而应运而生.本文概述了全光网中的一些关键器件一些最新的进展.
GaAs肖特基势垒二极管具有变频损耗低,噪声性能好的特性,适用于毫米波波段的应用.采用混合贴接倒扣二极管的技术能让我们为汽车系统制造新型的24GHZ的平衡混频器.这一混频器能提供中频14dB的变频损耗,本振与信号之间40dB以上的隔离度.由于其结构特点特别适合大批量、低成本生产.
本文提出了快速评价GaAs FET可靠性寿命的一种新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,在线快速提取出器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而可进一步求出器件的失效激活能、寿命等相关的可靠性参数.
采用GaAs集成电路的自主技术,开发移动通讯用的GaAs集成压控衰减器电路,衰减器电路采用T型结构,在0.9GHz,插入损耗小于2.8dB,最大衰减量35dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs压控衰减器采用3英寸GaAs圆片标准工艺加工,具有批量生产能力.