论文部分内容阅读
本文报道了一种低泄漏GaAs中频控制器的研究情况和结果.该GaAs中频控制器具有极低的泄漏谱分量,频率在30MHz下,控制脉冲泄漏谱分量小于—80dBm,比一般的GaAs开关小20dBm.
低泄漏GaAs中频控制器
【摘 要】
：
本文报道了一种低泄漏GaAs中频控制器的研究情况和结果.该GaAs中频控制器具有极低的泄漏谱分量,频率在30MHz下,控制脉冲泄漏谱分量小于—80dBm,比一般的GaAs开关小20dBm.
【机 构】
：
信息产业部电子13所(石家庄)
【出 处】
：
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2002年3期
其他文献
我们系统地研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响.我们发现InAs量子点的基态发光峰位,半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组份.最终,我们得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103meV的InAs量子点的发光特性.第一结果对实现高T的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义.
采用以Ar和O混合气体为溅射气体的反应RF溅射法在Si(100)衬底上制备了Al掺杂多晶ZnO(AZO)薄膜.Al掺杂是通过在金属Zn靶上放置一定数量Al片的共溅射方式实现.通过X射线衍射(XRD)分析了样品的结构特征.测量了不同衬底位置样品的折射率,计算了堆积密度,发现样品折射率和堆积密度与溅射靶表面的环形过度氧化区域有关,位于溅射靶投影中心区域样品折射率为1.95,堆积密度高达97﹪,分析认为
近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等优点.因此在高温、大功率高速器件方面具有很广泛的应用前景.由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性给常规的刻蚀技术带来了难题.湿法腐蚀较为困难,干法刻蚀技术成为首选.本文在利用ICP-98型高密度等离子刻蚀机进行GaN的刻蚀研究中,通过添加CF气体,初步解决了ICP刻蚀
GaAs基的GaInNAs材料及器件的研究是当前光电子领域前沿热门课题.本文将报道采用VG80H MKII MBE系统,在GaAs(100)衬底上生长高质量的GaNAs和GaInNAs量子阱结构材料和器件的研究结果.
本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H和H.它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之间的复合发光.当在同一样品的不同位置进行测量时,H和H之间能量差在75meV和108meV之间变化,其平均值为95meV.随着温度的升高,H峰有微弱的红移,而H峰却有轻微的蓝移;当温度从10K上升到70K时,H和H之间能量差(
本文简述了用National Semiconductor公司的串行口控制锁相环电路LMX2325和PHILIPS公司的多功能单片机87LPC76设计并行口控制频率综合器的方法.实验结果验证了该方法的正确性.
采用梯形台阶栅结构、Mo栅电极技术、共源平衡推挽工作,研制出了工作频率在150-175MHz、脉宽650μm、占空比20﹪的条件下,输出功率大于300W、功率增益14.4dB、漏极效率大于60﹪的N沟道增强型高性能垂直双扩散场效应晶体管(VD-MOSFET).
本文利用成本管理理论研究和分析了IC生产的成本因素.成本函数.固定成本管理.成品率管理.及以成本为量化的盈亏平衡点分析等.并给出了IC制造企业成本管理的必要性和应采取的有效措施和方法.
设计微波低噪声放大器及MMIC,需要确定增益和噪声系数随输入源导纳变化的规律,选择最佳的源导纳,设计出理想的微波器件,本文论述了国内外各种提取微波低噪声器件噪声参数的方法,并对其进行了比较.
本文作者对过去多年来从来微波器件封装科研开发的实践成果进行了总结,对今后封装的发展提出了一些建议.所涉及的微波器件封装,外壳类型为金属陶瓷外壳.