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利用GaN外延材料表面和界面的室温PL谱，观察并分析了带边峰的结构和与缺陷相关的束缚激子峰。
与GaN中缺陷相关的室温光荧光谱
【摘 要】
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利用GaN外延材料表面和界面的室温PL谱，观察并分析了带边峰的结构和与缺陷相关的束缚激子峰。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电工艺中心
【出 处】
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第七届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2000年10期
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