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作者们用电化学C-V的方法测量了MOCVD生长的双异质结结构绿光LED。采用稀盐酸腐蚀液，加正向偏压，边腐蚀边测量。实验完毕，用SEM观察表面和截面情况，发现被腐蚀区域的P-GaN/InGaN/N-GaN层已经与GaAs衬底脱离，并在GaAs衬底上腐蚀出坑。从GaN的结构特性分析，作者们认为，GaN中的层错堆积形成晶界作为导电通道，加快了晶界附近的GaN腐蚀速度。