Au@SiO2等离激元效应增强CZTSSe太阳能电池性能

来源 :第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lxn80516282
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  界面缺陷少、能带匹配良好且电荷分离能力强的高质量CZTSSe/CdS界面探索,成为发展高效CZTSSe器件亟需突破的瓶颈和关键科学问题.在本工作中,我们将Au@SiO2核壳纳米粒子(NPs)添加在CZTSSe/CdS界面,由于局域表面等离子体共振(LSPR)效应,器件效率明显提高.结果 表明,Au@SiO2核壳纳米粒子(NPs)的存在,增加了CZTSSe/CdS界面电荷的分离能力,减少载流子复合并提升电场性能,最终取得了11.10%的效率.
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会议
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Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)由于其组成元素价格低廉、对环境友好和光电性能优异而成为一种有前途的光伏材料[1].然而,CZTSSe电池中大量的界面缺陷和体缺陷严重制约着其转换效率的提升,尤其是开路电压.近年来,通过原子层沉积技术生长的氧化铝(ALD-Al2O3)已经被应用在CZTSSe薄膜太阳电池中去改善器件性能、提高转换效率[2].但是,Al2O3钝化层对高效CZTSSe薄膜太阳电
本文将CZTSSe光伏薄膜应用于忆阻器,研究了Mo背电极上制备的CZTSSe薄膜的忆阻性能,发现了CZTSSe薄膜具有共存的双极阻变特性和负阻微分效应,并提出了其阻变行为机理模型.研究表明,Cu/(Zn+Sn)比为0.82条件下的CZTSSe薄膜电阻开关比(HRS/LRS)为27.5,具有较好的非易失性电阻存储特性,其室温下共存的阻变特性与负阻微分效应主要源于外电场作用下肖特基势垒调制的Cu导电丝
By introducing Al-doped ZnO (AZO) layer,the thickness of MoS2 at the back interface of Mo/CZTS is effectively suppressed and the voids are eliminated.The scientific mechanism of improving the back int
The Kesterite Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) semiconductor is a compelling emerging light harvesting materials for low-cost,environment-benign,and high-efficiency thin-film photovoltaics.The highest power co
Majority carrier mobility is one of the most fundamental and yet important carrier transport parameters determining the optimal device architecture and performance of the emerging antimony chalcogenid
硒化锑和硫化锑等无机Ⅴ2-Ⅵ3族化合物半导体材料展现了巨大的光伏应用潜力, 其中,硒化锑(Sb2Se3)具有1)单一物相结构,2)合适的光学带隙(1.1-1.3eV),3)高吸光系数,4)低毒性,5)高元素丰度等优良特性,被证明是一种优异的吸光层材料.研究表明,Sb2Se3晶体由带状的(Sb4Se6)n构成,(Sb4Se6)n内部由Sb-Se共价键结合,带间通过较弱的范德瓦耳斯力相结合, 在(Sb
The performance of kesterite Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) solar cell is known to be severely limited by the nonradiative recombination near the heterojunction interface and within the bulk of the CZTSSe ab