【摘 要】
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By introducing Al-doped ZnO (AZO) layer,the thickness of MoS2 at the back interface of Mo/CZTS is effectively suppressed and the voids are eliminated.The scientific mechanism of improving the back int
【机 构】
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Key Laboratory of Polar Materials and Devices (MOE) and Department of Electronics,East China Normal
【出 处】
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第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会
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By introducing Al-doped ZnO (AZO) layer,the thickness of MoS2 at the back interface of Mo/CZTS is effectively suppressed and the voids are eliminated.The scientific mechanism of improving the back interface by AZO layer is clarified.The CZTS/CdS interface was treated by post-heating treatment (PHT) process.The crystallization quality of n-type CdS is improved,the inter-diffusion of elements between CZTS and CdS layers is promoted.As a result,PHT process improved the heterojunction band alignment and reduced the interface recombination of heterojunction.Consequently,CZTS thin-film photovoltaic devices with a total efficiency of 8.90% was fabricated.For CZTSSe,the preparation process of the precursor film was optimized,and the pure-phase precursor film was obtained.The pure-phase precursor film can reduce the band-tailing effects of CZTSSe and reduce the interfacial recombination of heterojunction.The Se & SnS co-selenization process can inhibit the generation of micro-area secondary phase and effectively reduce the detrimental defect of CZTSSe.The total area efficiency of CZTSSe solar cells is improved to 12.03%.
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