【摘 要】
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为配合中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH瞬态辐照实验,开发了一套检测内部数据存储器(RAM)的汇编程序和记录分析结果的Labview程序。通过这套程序可以对MCU内
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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为配合中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH瞬态辐照实验,开发了一套检测内部数据存储器(RAM)的汇编程序和记录分析结果的Labview程序。通过这套程序可以对MCU内部RAM初始化,循环读取RAM中的内容并与初始值进行比较,自动找出翻转单元。记录、分析错误地址与信息.这两套测试软件在西北核技术研究所强光一号的瞬态实验上进行了验证,该芯片工作稳定。同时,也证明了中科院微电子研究所MCU-J80C51RH能够在剂量率为1×1O<11>rad(Si)/s的瞬态辐照环境下工作.
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