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为了研究高能中子在硅材料中产生电离效应的情况,采用蒙卡方法研究了14Mev核爆高能中子和电子器件内部半导体硅材料的作用机理,由此得到了高能中子在硅材料中产生次级粒子的电离能损和空间分布,并获得了电离效应总截面。高能中子的电离效应研究结论,为单片机的高能中子单粒子效应的解释提供了有力的依据。
高能中子在硅材料中电离效应的模拟研究
【摘 要】
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为了研究高能中子在硅材料中产生电离效应的情况,采用蒙卡方法研究了14Mev核爆高能中子和电子器件内部半导体硅材料的作用机理,由此得到了高能中子在硅材料中产生次级粒子的
【机 构】
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中物院电子工程研究所,四川绵阳919信箱522分箱,621900
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2007年期
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