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本文采用单源化学气相沉积法(SSCVD)法在(012)面Al2O3衬底上制备出a面(110)的非极性ZnO薄膜。分别利用X射线衍射仪(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)分别观察样品在各个T艺条件下的的形貌和结构。结果表明：在衬底温度为500℃，沉积时闻为90min条件下制备出最优的a面ZnO薄膜。薄膜是沿垂直于c轴方向生长，消除了斯达克效应(OCSE)，提高了器件性能。由于薄膜生长过程中不可避免会产生内应力，对应力进行了初步的计算，为薄膜的后续优化处理提供技术支持。