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采用多尺度量子化学方法模拟了碳纳米管阵列的场发射特性。碳纳米管镜像势的作用可以等效地用原子尺寸的理想金属球的镜像势来代替。模拟计算结果表明,考虑了镜像势作用后的碳纳米管阵列发射电流密度比没有考虑镜像势的结果增大了约6倍。
镜像势对碳纳米管阵列场发射特性的影响
【摘 要】
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采用多尺度量子化学方法模拟了碳纳米管阵列的场发射特性。碳纳米管镜像势的作用可以等效地用原子尺寸的理想金属球的镜像势来代替。模拟计算结果表明,考虑了镜像势作用后的
【机 构】
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中山大学物理科学与工程技术学院,光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275
【出 处】
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2008中国材料研讨会—计算材料分册
【发表日期】
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2008年期
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