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本文报道了一种新的倏逝波耦合型单一载流子光电二极管(EC-UTC-PD),并分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计优化了InGaAs/InP倏逝波耦合型单一载流子光电探测器的器件结构,以达到提高响应度的目的。实验结果表明,在1550nm激光辐照下,器件的响应度可达到0.4A/W,饱和电流大于23mA。