【摘 要】
:
本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可用于1.95GHz无线通信应用的功率放大器设计。电路采用有源电流镜电路来提供电压偏置,同时采用反向偏置的二极管来稳定功率HBT管的偏置电压
【机 构】
:
杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州 310018
【出 处】
:
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可用于1.95GHz无线通信应用的功率放大器设计。电路采用有源电流镜电路来提供电压偏置,同时采用反向偏置的二极管来稳定功率HBT管的偏置电压。从而有效改善放大器的线性。采用GaAs HBT工艺设计实现了工作于1.95GHz的2级功率放大器,测试结果显示,输入功率频率在1.95GHz处,线性功率增益大于25dB,输出1dB压缩功率(P1dB)为27dBm。饱和输出功率大于29dBm。P1dB输出功率时,功率附加效率PAE大于57%。电路工作电压为3.4V。
其他文献
利用等离子体协助分子束外延方法在p-GaN衬底上生长n-ZnO薄膜,制备出n-ZnO/p-GaN异质结,在室温下的电致发光光谱上观测到位于430nm的宽且强的发射带,被归结为来自GaN与Mg受主
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究。
通常我们把补钙等同于补骨的全部,其实这是一个严重的认识上的误区。据营养学家最新研究结论,补骨是一项非常复杂的人体系统工程,作为骨骼地重要组成物质的钙,必须在多种营养物质
通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅
利用分子束外延生长方法我们制备了两组样品,一组为含有自组织生长GaSb量子点的GaAs/AlGaAs调制掺杂高电子迁移率结构。另一组为不含量子点的调制掺杂高电子迁移率参照结构。
本文分别采用射频溅射和激光分子束外延制备了ZnO及Mg0.2Zn0.8O薄膜:利用X射线衍射、光致发光谱、透射光谱、X射线能谱、扫描电子显微镜、以及高能电子衍射等测试于段,研究了
非有意掺杂InAs单晶均呈N型电导,自由电子浓度可达3×1016cm-3以上。有关非掺InAs单晶中的施主杂质、缺陷及其产生规律的尚不清楚。本文利用辉光放电质谱(GDMS)定量分析了LEC
本文研究了多步晶片退火(Multi-step Wafer AnneaL-MWA)工艺对垂直梯度凝固(Vertical Gradient Freezing-VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响
本文通过对8b/10b编码协议的修改,构建了一种具有一定检错能力的直流平衡编码。并根据这种编码对VSR4-1.0建议进行改进,提出了一种更高效的甚短距离光传输方式。
本文简述了国际上大功率边发射半导体激光器的器件结构,叠层技术,以及在器件电光转换效率,器件寿命,输出功率等方面取得的新进展。介绍了万瓦级大功率半导体激光合束技术和以