摩尔定律一直被认为是半导体行业发展的金科玉律,而要让摩尔定律一直有效的关键是不断提高光刻分辨力.众所周知,从投影式光刻机的分辨力公式Resolution=k1λ/N-A可以看出,提高分辨力的途径是降低工艺因子、缩短曝光波长和增大数值孔径,而缩短光源波长和增大数值孔径必须付出高昂的代价.为此,各国科学家努力寻求新的提高光刻分辨力的方法和技术,以满足下一代光刻技术的迫切需求.纳米压印光刻(Nanoimprint Lithography,NIL)使用固体压印原理,彻底摆脱了光学衍射的局限,可以做到纳米量级的复制.随着NIL技术的推广,现已广泛应用于纳米电子元件、生物或化学的硅片实验室、微流道装置、超高存储密度磁盘、微光学元件等领域.NIL技术省去了光学光刻掩模版和使用光学成像设备的成本,因此NIL技术具有低成本、高产出的经济优势.本文主要介绍中国科学院光电技术研究所在紫外纳米压印领域的研究成果,涉及到压印材料的研究、压印模板的研究、纳米压印工艺的研究以及纳米压印设备的研究.通过对新材料特性的研究,研制出满足压印工艺要求的模板和压印光刻胶；在新材料研发成功的基础上,我们集成了一套基于紫外固化的纳米压印设备,该设备能够实现高至50nm分辨力的图形复制；最后,我们成功地搭建了纳米压印微纳加工平台.该平台既能够用于纳米压印工艺和光学曝光工艺,也能用于半导体、生化实验和传感实验等,很适合我国纳米科技研究单位；同时,该平台能够以极低的成本实现纳米结构器件的批量制作,为微纳器件的设计与制作提供了有力的支撑,也丰富了现有的微纳加工制作手段.