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Si3N4稳定性相关论文
高氮分压对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响
碳热还原/氮化合成氮化硅在1 450~1 650℃、氮气分压700~1 100 kPa下进行.非晶二氧化硅与石墨粉末以n(C)/n(SiO2)=4.5比率混合、压片......
期刊
高压
Si3N4稳定性
连续反应
elevated nitrogen pressure
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