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InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长
采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In—AlGaAs材料性质进行了表征。......
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化合物半导体
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compound semiconductor molecular beam epitaxy
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