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锗离子植入相关论文
Raman Scattering and Photoluminescence in Ge-implanted GaN Films
调查在上植入 Ge 在氨下面轧了由 MOCVD 成年然后在 1100 点退火的电影周围被执行了。与增加 Ge 培植剂量,四座另外的山峰在 260 的......
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GAN
锗离子植入
拉曼散射
光致发光
GaN Ge ion implantation Raman scattering Photoluminescence
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