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由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功率放大领域的器件.着重对影响高频大功率AlGaN/GaN性能的材料结构和器件制作进行了阐述.
AlGaN／GaN基HEMT器件的研究进展
【摘 要】
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由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功率放大领
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2003年2期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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