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在IC生产线上,对离子注入剂量的监控非常重要.目前,离子注入剂量的测试方法有很多种,它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异.本文重点介绍了MOS C-V法、扩展电阻探针(SRP)法和热波(TW)法的测试原理和测试过程,并比较分析了上述各种测试方法的优缺点,从而给实际工作中选择合适的测试方法监控离子注入剂量提供参考.