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采用热蒸发沉积Ga、离子束溅射沉积Cu、In和Se，在BK7玻璃上形成Ga／Gu／In／Se四元叠层，在同一高真空环境下对四元叠层进行退火热处理，制备得到铜铟镓硒（GIGS）薄膜太阳电池吸收层材料CIGS薄膜．通过x射线衍射仪、能谱仪、扫描电子显微镜、分光光度计及四探针，测量材料的结构、组分、形貌以及光电特性．结果表明，通过精确控制热蒸发蒸镀Ga膜料的时间，实现在CulnSe，（CIS）薄膜上掺杂Ga元素，制备的CIGS薄膜均呈黄铜矿结构，当Ga的原子数分数戈（Ga）=3．96％～9．26％时，衍射峰较强