【摘 要】
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本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小。主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变。设计了在压力作用下跨导可以调制的mosfet器
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本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小。主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变。设计了在压力作用下跨导可以调制的mosfet器件。基于量子力学理论详细的介绍了器件的设计及理论依据。
In this paper, the transconductance of n-mosfet decreases with pressure as the pressure increases. The change in the electron mobility is mainly achieved by a method of changing the thickness L of the undoped layer. The mosfet device which can be modulated by the transconductance under pressure is designed. Based on the quantum mechanics theory, the design and theoretical basis of the device are introduced in detail.
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