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制做N沟道VDMOSFET器件的材料的两个关键参数是材料外延层电阻率和外延层厚度,在VDMOS器件的开发研制和生产过程中快速准确地选择材料是赢得时间、赢得市场的重要因素。VDMOS器件的耐压和工艺过程决定了材料的外延层电阻率和外延层厚度,通过进行理论计算,阐述了理论在实践生产过程中的局限性和制约因素,对理论的计算结果进行了客观地修正。