论文部分内容阅读
由两块GaAs材料和一个电阻组成的光电子开关直接接到普克尔盒电极上,采用高阻输出方式工作,获得了宽度连续可调的ns、kV脉冲,输出效率达84%。
电脉冲宽度连续可调的GaAs光电子开关
【摘 要】
：
由两块GaAs材料和一个电阻组成的光电子开关直接接到普克尔盒电极上,采用高阻输出方式工作,获得了宽度连续可调的ns、kV脉冲,输出效率达84%。
【机 构】
：
中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
：
光学学报
【发表日期】
：
1985年5期
其他文献
The AlGaN-based deep ultraviolet (DUV) light-emitting diode (LED) is an alternative DUV light source to replace traditional mercury-based lamps. However, the state-of-the-art DUV LEDs currently exhibit poor wall-plug efficiency and low light output power,
针对 GF-5全谱段光谱成像仪热红外谱段存在响应异常、辐射定标精度难以保障的问题，开展了地面辐射定标补充试验，发现热红外谱段响应对仪器内部温度、焦面温度变化敏感是导致异常现象的主要原因。进一步对 相机输出信号值随仪器内部温度、焦面温度变化规律进行了分析总结，提出了基于仪器温度、焦面温度修正的绝对辐射定标算法，成功应用于全谱段光谱成像仪热红外谱段的实验室绝对辐射定标，结果表明定标不确定性为 1.36%。
Operating a laser diode in an external cavity, which provides frequency-selective feedback, is a very effective method to tune the laser frequency to a range far from its free running frequency. For the Ca atomic Ramsey spectroscopy experiment, we have co
We report on the investigation of intermode beating mode-locked (IBML) pulse generation in a simple all-fiber Tm
业已证明在接近1600 ℃的工作温度下纯铜中5106埃的激光跃迁有高的平均功率和大于1%的电-光转换效率。在这样的温度下铜蒸汽接近一乇，并且需要特殊结构的陶瓷放电管。一种吸引人的纯铜体系替换物是铜的卤素化合物，因为在只有600~700 ℃的温度下，就可得到1~10乇的蒸汽压。但目前还不清楚，在这些蒸汽中是否能够维持扩散的辉光放电，或者换句话说，在分解的铜样品中是否能有效地获得粒子数反转。这项研究证实了这两种情况均能实现，本文报导在扩散碘化铜蒸汽放电中5106埃的超辐射激光发射的观察结果。
期刊
A new disordered crystal Nd:SrAl12O19 (Nd:SRA) with an Nd3 doping concentration of 5% was successfully grown using the Czochralski method. A diode-pumped Nd:SRA Q-switched laser operating at 1049 nm was demonstrate