论文部分内容阅读
利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知，随着温度的升高，F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势，而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高。样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF4得以实现的，C原子的刻蚀主要是通过生成CFx（x=1～3）等挥发性物质实现的。