【摘 要】
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据日本《电子材料》2 0 0 0年第 2期报道 ,三菱电机公司开发了超高性能的 0 .1 3μm CMOS晶体管。该产品栅长为 0 .1 3μm,在电源电压 1 .8V下达到了目前最高的电流驱动能力
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据日本《电子材料》2 0 0 0年第 2期报道 ,三菱电机公司开发了超高性能的 0 .1 3μm CMOS晶体管。该产品栅长为 0 .1 3μm,在电源电压 1 .8V下达到了目前最高的电流驱动能力 ( n沟道晶体管为 81 0 μA/μm,p沟道晶体管为 42 0 μA/μm)。此外 ,实现了每 1单位电路 1 2 ps的迟延
According to Japan’s “Electronic Materials” No. 2 in 2000 reported that Mitsubishi Electric Corporation developed ultra-high-performance 0.1 1.3μm CMOS transistors. The gate length of this product is 0.13μm and achieves the highest current drive capability (81 0 μA / μm for n-channel transistors and 420 μA / μm for p-channel transistors) at a supply voltage of 1.8V. In addition, a delay of 1 ps per 1 unit circuit is achieved
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