【摘 要】
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利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的
【机 构】
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利用水平、常压有机金属化合物汽相外延（MOVP）装置，DMCd、DIPT及元素汞在约360℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在GaAs、CdTe衬底上按不同条件生长碲化镉、碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分、表面形态、薄膜厚度、红外透射比和电学特性等，其中有原生的和经过一定条件退火处理的结果。
Using level, atmospheric pressure organic metal vapor phase epitaxy (MOVP) device, DMCd, DIPT and elemental mercury at about 360 ℃, using interdiffusion multilayer technology, by computer control, GaAs, CdTe substrate grown under different conditions tellurium The preliminary results of cadmium, mercury telluride and cadmium mercury telluride, including composition, surface morphology, film thickness, infrared transmittance and electrical properties, among them the results of the native and annealed conditions.
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