SiC晶片的非破坏性分析

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Competitive Technologies公司与南卡罗来纳大学研究基金会签订一项独特的协议,用一种新方法描述SiC晶片的缺陷。南卡罗来纳大学开发的这门新技术快速、非破坏性且成本低。这项技术可用于圆片级缺陷的映像,并可表征各种类型晶片的特性,易于定位和映像 Competitive Technologies and the University of South Carolina Research Foundation have signed a unique agreement to describe the defects of SiC wafers in a new way. This new technology developed by the University of South Carolina is fast, non-destructive and low cost. This technology can be used to image wafer-level defects and characterize various types of wafers for easy positioning and imaging
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