【摘 要】
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1.绝缘膜的制作 1.1.热氧化膜 MOS晶体管的阈值电压V_t可由下式给出: V_t=((-Q_O-Q_(SS)-Q_B)/C_g)-(q/C_g)·integral from n=Midgap to φ_(FB) (N_(FS)(E)dE+φ_(MS)+2φ
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1.绝缘膜的制作 1.1.热氧化膜 MOS晶体管的阈值电压V_t可由下式给出: V_t=((-Q_O-Q_(SS)-Q_B)/C_g)-(q/C_g)·integral from n=Midgap to φ_(FB) (N_(FS)(E)dE+φ_(MS)+2φ_(FB))式中:C_g栅绝缘层的电容
1. Preparation of Insulating Film 1.1. The threshold voltage V_t of the MOS transistor of the thermal oxide film is given by: V_t = ((- Q_O-Q_ (SS) -Q_B) / C_g) - (q / C_g) · integral from n = Midgap to φ_ (FB) (N_ (FS) (E) dE + φ_ (MS) + 2φ_ (FB)) where: C_g capacitance of the gate insulating layer
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