【摘 要】
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研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,
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研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和版图的优化设计,在不同剂量条件下,该样品均不产生线性区kink效应.由碰撞电离引起的kink效应,出现显著变化的漏极电压随总剂量水平的提高不断增大.在高剂量辐照条件下,背栅ID-VSUB曲线中出现异常的“kink”现象,这是由辐照诱生的顶层硅膜/埋氧层之间的界面陷阱电荷导致的.
The change trend of the output characteristic curve of a 0.8μm SOINMOS transistor exposed to 60Coγ-ray with a dose rate of 50rad (Si) / s was studied.The results show that under the optimized conditions of the manufacturing process and the layout, The kink effect of the linear region was not observed in this sample, and the kink effect caused by impact ionization showed that the drain voltage significantly increased with the increase of the total dose.Under the condition of high dose irradiation, the back gate ID-VSUB curve Anomalous “kink” phenomenon occurs due to the interfacial trap charge between the top silicon film / buried layer induced by irradiation.
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