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介绍了以SnO2为主,掺入Al2O3,MgO,InO,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法.根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨.论述了传感器的信息传感机制,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在.为获得性能良好的气敏元件,需要最佳的制备方法和最好的添加剂.
常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究
【摘 要】
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介绍了以SnO2为主,掺入Al2O3,MgO,InO,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法.根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨.论述了传感器的信息传感机制,即晶界势垒控制和晶粒大
【机 构】
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中国科学院长春应用化学研究所
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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2001年9期
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