本论文着重于SrBi_4Ti_4O_(15) (SBTi)层状钙钛矿铁电薄膜的制备及其掺杂薄膜材料的微结构、铁电、疲劳性能的研究。这些研究对于指导设计有实用性能的用于非易失性铁电随机存储器的新型铁电材料有一定的指导作用。运用sol-gel技术在Si /SiO_2 /Ti /Pt基片上制备了性能优良的SBTi铁电薄膜材料。X射线衍射、扫描电子环境和原子力显微镜分析表明了所沉积的薄膜具有良好的结晶学和
稀磁半导体材料兼具磁性和半导体特性,在自旋电子器件有着广泛的应用前景。本论文在介绍Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体之后,分别介绍了“111”、“122”、“1111”、“32522”、“42622”
本文由五个主要部分组成。 第一部分概述了研究双原子分子及离子精确振动能谱的意义。 第二部分介绍了研究双原子分子及离子振动能谱的进展,采用的物理模型,以及几种主要