碳化硅(SiC)材料是一种近十几年发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率,是制造高温、高频、大功率、抗辐照功率电子器件的优选材料,在国防、航天、通讯、汽车和能源电力等领域有非常广阔的应用前景.SiC晶体的一个明显特征是具有多种异构体,异构体的命名方式(Ramsdells notation)可以用数字和字母组成,如6H-SiC,通常用C、H、R分别表示立方,六方和三方晶格结构,字母前所加数字代表每一原子平面堆垛周期内Si-C双原子层的数目.过去十多年来,SiC晶体生长技术得到了不断改善和发展,包括块体单晶生长、外延薄膜生长和异质外延生长等.有研究表明,SiC二极管器件在长时间正向导通条件下的性能退化现象与外延层中的层错有直接关系,因此研究SiC晶体和器件中晶体缺陷的基本结构特征对SiC晶体生长和器件应用有十分重要的意义.