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分析了金属一半导体表面的接触机理及肖特基势垒的形成，探讨了离子掺杂行为对势垒的影响机理，研究了光生载流子的迁移对TiO2半导体复合材料光催化活性的影响。结果表明，不同金属基体材料对表面势垒高度的影响程度不同，同掺杂离子的表面态对金属-半导体接触的影响也有差别，离子可以改变半导体功函数，La^3＋、Cu^2＋和Fe^3＋在同一浓度掺杂，对半导体的功函数影响不同，使载体和离子对电子和空穴捕获能力有所差异。