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,Pressure effect study on the Ⅰ-Ⅴ property of the GaAs-based resonant tunnelling structure by photol
【机 构】
：
National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology,North University of China,Taiyuan 0300
【出 处】
：
中国物理B（英文版）
【发表日期】
：
2010年4期
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