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提出了利用4πβ-γ符合装置,不制作薄膜源情况下测量中子活化片活度的新方法.通过改变光电倍增管电压,使γ道探测器对γ光子和K层特征X射线探测效率一致,不进行效率外推,便可得到中子活化片活度.理论分析表明该方法可行.
中子活化片活度测量方法研究
【摘 要】
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提出了利用4πβ-γ符合装置,不制作薄膜源情况下测量中子活化片活度的新方法.通过改变光电倍增管电压,使γ道探测器对γ光子和K层特征X射线探测效率一致,不进行效率外推,便
【机 构】
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四川大学物理科学与技术学院,中国工程物理研究院核物理与化学研究所
【出 处】
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核动力工程
【发表日期】
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2007年4期
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