SiOP介质膜及其对InGaAsP／InP量子阱激光结构混合无序的影响

来源 :天津师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：whm9903

【摘要】

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用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜-SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μm InGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.X

【作者】

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王永晨杨格丹赵杰李彦刘明成

【机构】

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天津师范大学

【出处】

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天津师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2003年4期

【关键词】

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SiOP介质膜及 PECVD 量子阱混合QWI 电介质薄膜激光结构等离子体增强化学沉积法光纤通讯 PEVCD quantum well intermix

【基金项目】

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国家自然科学基金

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用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜-SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μm InGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在Si-O和P-O键,P(2p)态键能为134.6 eV.PL测量首次获得223.6 meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景.

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