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三维封装硅通孔铜互连电镀工艺研究进展
三维封装硅通孔铜互连电镀工艺研究进展
来源 :电镀与涂饰 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ztcld2003
【摘 要】
:
综述了近年来芯片三维封装中硅通孔(TSV)互连技术中电镀铜工艺的研究进展及存在的问题,指出TSV互连技术今后的研究方向。
【作 者】
:
周苗淼
张雨
沈喜训
徐群杰
【机 构】
:
上海电力大学,上海市电力材料防护与新材料重点实验室,上海热交换系统节能工程技术研究中心
【出 处】
:
电镀与涂饰
【发表日期】
:
2021年5期
【关键词】
:
芯片
硅通孔
铜互连
电镀
添加剂
综述
chip
through silicon via
copper interconnection
elect
【基金项目】
:
国家自然科学基金面上项目(21972090),上海市科委项目(19DZ2271100)
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综述了近年来芯片三维封装中硅通孔(TSV)互连技术中电镀铜工艺的研究进展及存在的问题,指出TSV互连技术今后的研究方向。
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