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文章首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理，总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限（SNM）。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法，该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制，然后将多个限制因素综合在一起考虑，并通过三维曲线图形为仿真提供指导，以提高设计效率，缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证，仿真结果表明，采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。