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在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜，研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面，薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明，在不同开启脉冲电位下制备出来的SnS薄膜的禁带宽度可以在1.3～1.62eV范围内变化，并且随着开启脉冲电位的增大，薄膜的禁带宽度逐渐变大。在开启脉冲电位为-0.70V(vs.SCE)时，制备的薄膜禁带宽度为1.53eV，在可见光范围内光吸收系数均达到104cm-1以上。扫描电子显微镜的测试结果表明所得薄膜的表面平整并且均匀。结合X射线衍射结果可证实制备出的薄膜是由正交结构晶粒组成的多晶体。对薄膜进行变温电学性质的测试，得到了薄膜电导率温度谱，发现室温下薄膜的电导率为10-6S·cm-1。同时，在实验上发现了薄膜与Al电极形成了肖特基接触，由电学测试推导出肖特基势垒高度为0.58eV。