基于FC技术的AlGaN／GaN HEMT

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：randygu

【摘要】

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采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN／GaN HEMTs，并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理．从测试结果看，器件的热阻可大幅降到14．9K·mm／W，直流特性明显增加，饱和电流提高33

【作者】

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陈晓娟刘新宇邵刚刘键和致经汪锁发吴德馨

【机构】

：

中国科学院微电子研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

ALGAN/GAN HEMT FC 倒扣热阻 AlGaN/GaNheterostructure field effect transistorsFCtherm

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采用FC技术将管芯倒扣至AlN基板散热的AlGaN／GaN HEMTs，并通过热阻模型分析了FC方式的散热机理．从测试结果看，器件的热阻可大幅降到14．9K·mm／W，直流特性明显增加，饱和电流提高33％．表明采用FC技术有效改善了器件散热，而且引入的寄生电感较小，可获得更大输出功率．如果进一步完善频率特性的优化，可以加快FC技术的AlGaN／GaN大功率HEMT器件的实用化进程．

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