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通过理论分析和实验测量，研究准波导结构染料薄膜中荧光和放大自发辐射（ASE）的泄漏模特性。理论上，考虑薄膜传输损耗及染料吸收损耗对准波导结构中泄漏模特性的影响，通过计算准波导结构中泄漏模的光强分布，给出了相应的物理机制分析；实验上，以棱镜为衬底制备染料薄膜，根据棱镜耦合法测量不同出射角对应的泄漏模的荧光与ASE光谱，验证理论的正确性。此外，采用光束分析仪探测各泄漏模式对应的荧光及ASE的光强分布，研究了准波导结构中ASE的激励特性。结果证明，荧光峰及ASE峰的红移以及泄漏模的激发是界面反射率、薄膜传输损耗