氯化锂诱变赤灵芝原生质体选育高锗菌株的研究

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采用化学诱变剂氯化锂诱变赤灵芝原生质体,对高锗含量的菌株进行了筛选。结果表明:经0.3%氯化锂诱变后,致死率为72.8%。此时诱变菌株第4代锗含量达到最高,为174.88μg/g,比原发菌株提高了269.02%,第3代比第1、2代锗含量分别提高3.33%、0.80%,较原发菌株提高了281.30%,诱变菌株遗传稳定性良好。 The chemical mutagenized lithium chloride was used to mutagenize the Ganoderma lucidum protoplasts and the strains with high germanium content were screened. The results showed that the lethality was 72.8% after being mutagenized by 0.3% lithium chloride. At this point, the fourth generation germanium content of the mutagenic strain reached the highest, which was 174.88μg / g, which was 269.02% higher than that of the primary strain. The content of germanium in the third generation was increased by 3.33% and 0.80% Strain increased by 281.30%, mutagenic strains of good genetic stability.
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