【摘 要】
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由DZ宽度与退火时间和温度的关系曲线,测定了含氧硅在N_2、O_2、O_2~+5%HCI气氛中退火时硅中间隙氧的外扩散激活能。实验表明:在氧化气氛中退火,有利于原始硅片中潜在微缺陷的
【机 构】
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四川大学,四川大学 1982级半导体班毕业生,1982级半导体班毕业生
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由DZ宽度与退火时间和温度的关系曲线,测定了含氧硅在N_2、O_2、O_2~+5%HCI气氛中退火时硅中间隙氧的外扩散激活能。实验表明:在氧化气氛中退火,有利于原始硅片中潜在微缺陷的消除和推迟间隙氧的沉淀,增强间隙氧的外扩散,可获得较宽的DZ.
The diffusion activation energy of interstitial oxygen in silicon during annealing of oxygen-containing silicon in N 2, O 2, O 2 ~ + 5% HCl atmosphere was measured from the relationship between DZ width and annealing time and temperature. Experiments show that annealing in an oxidizing atmosphere is favorable for the elimination of potential micro-defects in the original silicon wafer and the postponement of the interstitial oxygen precipitation, and the enhancement of the interstitial oxygen diffusion so that a wider DZ can be obtained.
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