钽抛光及抛光机理的探究

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为拓宽CMP技术应用领域,研究了中国工程物理研究院机械制造工艺研究所提供的钽片的抛光,打破过去以机械加工为主的加工手段,采用提高化学作用的方法,加入螯合剂、有机碱、活性剂等助剂,对钽进行抛光。结果发现,钽表面的粗糙度较小,表面状态良好,说明增强化学作用可以提高抛钽效果。对钽的CMP机理做了分析与推测,为钽CMP进一步研究奠定了基础。
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