纳米SiC(N)粉体的制备及其光致发光性能研究

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qvwen2005
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用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me:CH3)和氨气为原料,用激光诱导气相反应法合成了纳米SiC(N)粉体.采用双反应室结构不仅提高了CO2激光的利用率,而且提高了纳米粉体的产率,合成的SiC(N)粉体的粒径为20~50nm,纳米粉体的分散性好,无严重团聚.研究了纳米SiC(N)粉体的激发光谱和发射光谱,纳米SiC(N)粉体的激发光谱峰的位置为205.4nm,峰的强度为1862 a.u.,发射光谱峰的位置为505.2nm,峰的强度为1499 a.u.,纳米Si
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