【摘 要】
：
在Ａｌ_２Ｏ_３衬底上ＧａＮ的ＡＰＭＯＣＶＤ生长缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）含氮回一Ｖ族化合物（包括ＧａＮ、ＡＩＮ、ＩｎＮ和ＧａＡＩＮ）是直接带隙半导体材料，它们的禁带宽度可以从１．９ｅＶ到６．２...
Growth of GaN
论文部分内容阅读
在Ａｌ_２Ｏ_３衬底上ＧａＮ的ＡＰＭＯＣＶＤ生长缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）含氮回一Ｖ族化合物（包括ＧａＮ、ＡＩＮ、ＩｎＮ和ＧａＡＩＮ）是直接带隙半导体材料，它们的禁带宽度可以从１．９ｅＶ到６．２...
Growth of GaN by APMOCVD on Al_2O_3 Substrates Miao Guoqing, Yuan Jinshan, Zhu Jingyi, Li Yuqin, Hong Chunrong (Changchun Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021) Nitrogen back to a group V compound (including GaN, AIN, InN and GaAIN) Band gap semiconductor materials, their band gap can be from 1.9eV to 6.2 ...
其他文献
2009年2月19日,湖北省民族宗教工作会议在武汉召开,此次会议的主要内容是,深入学习贯彻胡锦涛总书记关于民族工作的“9.15”重要批示、关于宗教工作的“12.18”重要讲话精神
本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阶材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关系，以及在６００℃下Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ外延层中工值与液相中Ａｌ含量的关
本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用
北京人民艺术剧院演出的莎士比亚喜剧《请君入瓮》,经过两个月紧张的排练,已经与观众见面了。担任这个戏的主要导演托比·罗伯森,舞美设计阿伦·拜瑞特与灯光设计奇斯·埃德
介绍了高保真线性相位通带和等波纹阻带的不对称有限冲击响应（ＦＩＲ）低通滤波器的设计方法．该方法在实数域内对通带和阻带分别进行处理．给出了设计实例．
The design method of asymmet
高频电路构成的装置或设备,其金属结构件(包括外壳)的接地问题对于抗干扰十分重要。首先,如金属外壳或金属部件接地不良,在外界产生静电放电时会向内部电路辐射强大电磁脉冲
传说从前有个巧媳妇,长得两片薄嘴唇,巧舌如簧。一天午餐,她先给公公盛了碗饭,公公吃了一口,赞道:“真香,今个我吃三碗。”媳妇听了,得意地说:“哟,没想到我做的饭这么合您的
“绩效”一词由“performance”翻译而来,20世纪90年代随着国内管理学研究的兴起,逐渐在各界被广泛应用。而“绩效评估”是指对经营者业绩或组织经营效益,运用特定指标,对照
加强新时期宗教工作,是提高执政能力,构建和谐社会的需要。应当深入贯彻和落实科学发展观,用社会主义核心价值体系占领思想阵地。正确看待信教群众,从立党为公、执政为民的高
不加腔外展宽器的高重复率钛宝石再生放大器陈国夫，赵尚弘，王屹山，王贤华，侯洵（中国科学院西安光机所瞬态光学技术国家重点实验室，西安７１００６８）最近我们在省略腔外展宽器的放大器中实现了自