【摘 要】
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基于国内自主研发的芯片铜互连超高纯电镀液及添加剂,通过赫尔槽铜片实验、晶圆图形片实验,对芯片铜互连电镀添加剂浓度对芯片铜互连镀层性能的影响进行了研究。首先对芯片铜
【基金项目】
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科技部国家02科技重大专项项目(2011ZX02702)65-45nm芯片铜互连超高纯电镀液及添加剂研发和产业化
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基于国内自主研发的芯片铜互连超高纯电镀液及添加剂,通过赫尔槽铜片实验、晶圆图形片实验,对芯片铜互连电镀添加剂浓度对芯片铜互连镀层性能的影响进行了研究。首先对芯片铜互连电镀加速剂、抑制剂、整平剂三类添加剂作了简要介绍,然后依序改变上述三类添加剂的浓度配比和磁力搅拌器旋转速度进行电镀实验,最后在晶圆图形片上进行验证,确认加速剂、抑制剂、整平剂浓度之比为9:2:2.5时,可以获得芯片铜互连无孔洞、无缝隙的电镀填充效果,即该添加剂浓度之比最为理想。
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