极紫外(EUV)光刻胶树脂及合成方法进展

来源 :影像科学与光化学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wjlwny110

【摘要】

：

极紫外光刻(EUVL)是实现22 nm及以下节点集成电路制造最为高效的工艺技术。本文介绍了EUV光刻胶树脂的结构特点及其对光刻性能的影响,并着重整理了近年来化学增幅型和非化学增幅型EUV光刻胶树脂的合成方法。最后,对EUV光刻胶树脂的结构设计进行了分析与展望。

【作者】

：

文帅刘强

【机构】

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青岛科技大学橡塑材料与工程教育部重点实验室

【出处】

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影像科学与光化学

【发表日期】

：

2021年4期

【关键词】

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光刻胶树脂极紫外光刻合成改性

【基金项目】

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山东省腐蚀科学重点实验室开放课题(KLCS201908)资助。

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